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    LED芯片使用中經常遇到的問題

    LED芯片在使用過程中經常遇到那些問題呢?讓我們一起解讀下文吧。
     

    1.正向電壓降低,暗光
    A:一種是電極與發光材料為歐姆接觸,但接觸電阻大,主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。
    B:一種是電極與材料為非歐姆接觸,主要發生在芯片電極制備過程中蒸發第一層電極時的擠壓印或夾印,分布位置。
    另外封裝過程中也可能造成正向壓降低,主要原因有銀膠固化不充分,支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩定。 正向壓降低的芯片在固定電壓測試時,通過芯片的電流小,從而表現暗點,還有一種暗光現象是芯片本身發光效率低,正向壓降正常。
     

    2.難壓焊:(主要有打不粘,電極脫落,打穿電極)
    A:打不粘:主要因為電極表面氧化或有膠
    B:有與發光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢,其中以加厚層脫落為主。
    C:打穿電極:通常與芯片材料有關,材料脆且強度不高的材料易打穿電極,一般GAALAS材料(如高紅,紅外芯片)較GAP材料易打穿電極,
    D:壓焊調試應從焊接溫度,超聲波功率,超聲時間,壓力,金球大小,支架定位等進行調整。
     

    3.發光顏色差異:
    A:同一張芯片發光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題,ALGAINP四元素材料采用量子結構很薄,生長是很難保證各區域組分一致。(組分決定禁帶寬度,禁帶寬度決定波長)。
    B:GAP黃綠芯片,發光波長不會有很大偏差,但是由于人眼對這個波段顏色敏感,很容易查出偏黃,偏綠。由于波長是外延片材料決定的,區域越小,出現顏色偏差概念越小,故在M/T作業中有鄰近選取法。
    C:GAP紅色芯片有的發光顏色是偏橙黃 色,這是由于其發光機理為間接躍進。受雜質濃度影響,電流密度加大時,易產生雜質能級偏移和發光飽和,發光是開始變為橙黃色。
     

    4.閘流體效應:
    A:是發光二極管在正常電壓下無法導通,當電壓加高到一定程度,電流產生突變。
    B:產生閘流體現象原因是發光材料外延片生長時出現了反向夾層,有此現象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性,在使用過程是出于兩極電壓不夠大,表現為不亮,可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線,也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發現,小電流下的正向壓降明顯偏大,則可能是該問題所致。
     

    5.反向漏電:
    A:原因:外延材料,芯片制作,器件封裝,測試一般5V下反向漏電流為10UA,也可以固定反向電流下測試反向電壓。
    B:不同類型的LED反向特性相差大:普綠,普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏,而普芯片則在十幾二十伏之間。
    C:外延造成的反向漏電主要由PN結內部結構缺陷所致,芯片制作過程中側面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面,嚴禁用有機溶液調配銀膠。以防止銀膠通過毛細現象爬到結區。



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